目前，深紫外LED外延片生长技术主要采用金属有机化学气相沉积法。该方法基于LED外延片生长的基本原理。深紫外LED外延片生长的基本原理是在衬底（主要是蓝宝石、sic、SI）加热到合适的温度时，控制in、GA、al、P等气体物质向衬底表面的传输，生长出特定的单晶薄膜

深紫外LED外延片的制备过程非常复杂。外延片开发完成后，从每个外延片中随机选择9个点进行测试。符合要求的为良品，其余为劣品（电压偏差大、波长长等）。优质LED产品的外延片应制成电极（P极和N极）。

然后激光切割，然后100%分拣。根据不同的电压、波长和亮度进行全自动分拣，形成LED晶圆（方形晶圆）。然后，进行目视检查，找出有轻微缺陷或电极磨损的零件。这些是后向散射晶体。

此时，蓝色薄膜上的晶片不符合正常装运要求，自然会变成边缘晶片或粗糙晶片。有缺陷的外延晶片（主要是因为一些参数不符合要求）不需要是方形晶片，电极（P极和N极）不需要单独检查，也就是现在市场上的LED晶片（其中也有好东西，如方形等）。

半导体制造商主要使用抛光硅片和外延硅片作为集成电路的原材料。外延晶片在20世纪80年代初被使用。它们具有一些标准PWs中未发现的电气特性，消除了晶体生长和后续晶圆加工过程中引入的许多表面/近表面缺陷。