我们都知道UVCLED在市面上是很广泛的，但是可能对于绝大部分的使用者来说不知道其背后有哪些技术原理，今天日益兴小编就来给大家简单剖析一下吧！

1.芯片：倒装芯片是目前UVC芯片的主流，但不一定是最佳结构。垂直芯片也有其独特的优势，如更好的电流传输、更少的光吸收和更好的散热。然而，由于氮化铝是主要材料，需要长波长高能准分子激光将其从蓝宝石衬底上剥离，这将对外延材料造成严重损坏。因此，目前只有lgit能够实现垂直结构UVC led的批量生产。如果能找到一种经济简单的剥离方法，垂直结构将有机会成为大功率UVC led的主流。

2.封装：主要考虑UVC led的散热和发光。在材料方面，经过多年的发展，市场上的UVC led基本上都是倒装芯片，使用高导热性的氮化铝基板。

3.使用寿命：UVC LED工作时间长，会因光衰减而导致老化，尤其是大功率UVC LED，光衰减问题更为严重。在测量UVC led的寿命时，仅将灯损坏视为UVC led寿命的终点是不够的。LED的寿命应由UVC LED的光衰减百分比决定。

4.发光效率：一般指UVC led的外部量子效率（EQE），是器件内部量子效率和提取效率的乘积。内部效率（IQE）主要与器件本身的特性（如器件材料的能带、缺陷和杂质）、外延晶片材料和结构有关。

设备的提取效率是指在设备内部产生的光子被设备本身吸收、折射和反射后，可以在设备外部测量的数据。因此，影响提取效率的因素包括吸收、散射、器件材料本身的结构以及封装材料的折射率差。

内部效率（IQE）：主要与器件本身的特性有关，如能带、缺陷、杂质、外延晶片材料、结构等。

提取效率：设备内部产生的光子被设备本身吸收、折射和反射后，设备外部的实际可测量光子数；

外部量子效率（EQE）：器件的内部量子效率和提取效率的乘积；

电光转换效率（WPE）：当最终产品通电时，有多少电能转换为光能。考虑到输入功率、EQE和芯片条件，它是评估发光效率的重要指标。

以上给大家介绍的就是UVCLED背后的操作原理，如果你还有不懂的话，欢迎随时联系我们。